在卡片上的微晶片外面一般封裝了保護層。保護層可以防止微晶片被折疊，扭曲等眾多對卡片實施非正常的物理性損壞。同時也防止微晶片受到紫外線的輻射，使卡片能長久地被使用。

但從電性能的角度來看，由于加入了保護層，使IC與卡片上的天線組成的振蕩回路的頻率將發生變化。因為，保護層給IC微晶片增加了一個輸入回路電容Cmount。盡管這個電容只有幾個pf 至幾十個pf，但對于要求頻率精度，穩定度等都很高的非接觸式IC智能射頻卡來說，也將是很重要的。

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Mifare 1 IC智能(射頻)卡

 卡片上的等效電路如下：

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   (不帶IC微晶片的天線 )     (IC 微晶片)

整個卡片的自由振蕩頻率計算方法：
    

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    說明：   

l       f_res  ：卡片的振蕩頻率，應為13.56MHz

l       Rcoil ：天線線圈的電阻，約6.07歐娒

l       Lcoil ：天線線圈的電感，約 3.6 μH

l       Ccoil ：天線線圈的電容，約 5pf

l       Cpack ：天線線圈的封裝后引入的電容, 約 5pf

l       Cic ：IC微晶片的電容，約 16pf

l       Cmount ：IC微晶片的安裝后引入的電容, 約 幾個pf ~ 幾十個pf

l       La ：天線線圈與IC微晶片的接觸點a

l       Lb ：天線線圈與IC微晶片的接觸點b

其中，

天線線圈的電感：
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l       L ： 天線線圈一圈的長度

l       N ：天線線圈圈數，一般為4圈

l       D ：天線線圈直徑或導體的寬度

l       P ：由天線線圈的技術而定的N的指數因子，如下表所示：

P值：

天線線圈結構：

1.8

環繞線圈

1.7

Etched(蝕刻)線圈

1.5 ~~ 1.7

印刷電路板線圈

上述天線線圈的電感的公式只能作為**估測之用，實際的天線線圈的電感必須通過儀器測量而定，但偏差不會很大。

 一般 天線線圈的電感 :  Lcoil < 4.2μH, 實際中推薦在 3.6μH 左右為*優。

天線線圈的品質因數 Qcoil ：

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 般天線線圈的品質因數 30 < Qcoil < 60。

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實際中,品質因數Qcoil在>30后的增加量,對卡片的操作距離的增加無明顯幫助;品質因數Qcoil必須<60 ,以確保數據通信穩定，可靠，否則天線的**工作距離內有死區，而不能可靠地進行數據通信。

         天線線圈的矩形面積S_總：

      S_總 必須 > 11200 mm²      S_總 = S _{平均  *}  N圈 

        所以S _平均    必須 > 11200 mm² / N圈 

 一般,S _平均 >= 2778 mm² (當卡片上的天線線圈的矩形面積的 長 X 寬 = 40mm X 70 mm時)。

實際中，推薦S _平均 在3330 mm²左右。即，實際設計時，卡片上的天線線圈的矩形面積的長和寬應為：74mm 和45mm，天線線圈的圈數N為4圈，則這樣制作出的卡片將能保證通信的距離。